工場モデル : | EPC2103 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | EPC |
在庫状況 : | 3929 pcs Stock |
説明 : | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | EPC2103(1).pdfEPC2103(2).pdfEPC2103(3).pdfEPC2103(4).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | EPC2103 |
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メーカー | EPC |
説明 | GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 3929 pcs |
仕様書 | EPC2103(1).pdfEPC2103(2).pdfEPC2103(3).pdfEPC2103(4).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 7mA |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 | - |
パッケージ/ケース | Die |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.5nC @ 5V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 28A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | EPC210 |