| 工場モデル : | EPC2103ENGRT |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | EPC |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EPC2103ENGRT(1).pdfEPC2103ENGRT(2).pdfEPC2103ENGRT(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EPC2103ENGRT |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | EPC2103ENGRT(1).pdfEPC2103ENGRT(2).pdfEPC2103ENGRT(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 7mA |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7600pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | EPC210 |
EPC2105GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2102ENGTRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIEEPC2102GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2103ENGTRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIEEPC2104ENGTRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIEEPC2104GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2103GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2102ENGRTGANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
EPC2105ENGTRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIEEPC2104ENGRTGANFET 2NCH 100V 23A DIE