Elektra Awards 2021 - その年のメーカー

垂直積層型BICフラッシュ3次元メモリは、2D NANDフラッシュメモリと比較してより高いダイ面積密度を有し、回路技術と製造プロセスの両方を最適化することによってチップサイズを低減する。さらに、メモリセル間のスペースは、シングルショットプログラミングシーケンスのデータ量を増やすことによってプログラミング速度を向上させるために、2D NANDフラッシュよりも広くなる。メモリセル間の広いスペースはセル結合を減少させ、2Dメモリと比較して信頼性を向上させる。

審査員は、「印象的な」範囲の顧客、研究チャンネル、現在および将来のプロジェクトへの投資を指摘した。 1人の裁判官は各プロジェクトの詳細を「明確な戦略洞察とクラス製の部品で最もよく」提供した詳細を称賛しました。

ショートリスト

*カスタムインターコネクト
* Filtronic
*キオキシアヨーロッパ

スポンサー