| 工場モデル : | EPC2103ENG |
|---|---|
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | EPC |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EPC2103ENG.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EPC2103ENG |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | EPC2103ENG.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 7mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Tray |
| パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | 917-EPC2103ENG EPC2103ENGRH7 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A |
EPC2102ENGTRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
EPC2105GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2104GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2103GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2103ENGRTGANFET TRANS SYM HALF BRDG 80VEPC2102GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDGEPC2104ENGTRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIEEPC2104ENGRTGANFET 2NCH 100V 23A DIEEPC2102ENGRTGANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIEEPC2101ENGRTGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID