| 工場モデル : | TP65H300G4LSG |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Transphorm |
| 在庫状況 : | 293 pcs Stock |
| 説明 : | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | TP65H300G4LSG |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 293 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 312mOhm @ 5A, 8V |
| 電力消費（最大） | 21W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 3-PowerDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.6 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.5A (Tc) |
TP65H150LSGGANFET N-CH 650V 15A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
TP6GCAP FILM TRIMTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FETTP6GACAP FILM TRIMTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
TP6KE13ATVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO204ACTP65H150BG4JSG-TRGANFET N-CH 650V 13A QFN5X6TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-220