| 工場モデル : | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Transphorm |
| 在庫状況 : | 2998 pcs Stock |
| 説明 : | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 2998 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.8V @ 500µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 2-PQFN (8x8) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 52W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 2-PowerTSFN |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 598 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Tc) |
| 基本製品番号 | TP65H150 |
TP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FETTP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H150BG4JSG-TRGANFET N-CH 650V 13A QFN5X6TP65H300G4LSGGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H070LDGGANFET N-CH 650V 25A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H070LSGGANFET N-CH 650V 25A 3PQFNTP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FETTP65H150LSGGANFET N-CH 650V 15A 3PQFN