工場モデル : | TP44440HB |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Tagore Technology |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | TP44440HB.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | TP44440HB |
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メーカー | Tagore Technology |
説明 | GAN FET 1/2 BRIDGE .36OHM 30QFN |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | TP44440HB.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | 30-QFN (8x10) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力 - 最大 | - |
パッケージ/ケース | 30-PowerWFQFN |
パッケージ | Tray |
運転温度 | - |
装着タイプ | Surface Mount |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | TP44440 |