工場モデル : | TP44400SG |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Tagore Technology |
在庫状況 : | 3000 pcs Stock |
説明 : | GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | TP44400SG.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | TP44400SG |
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メーカー | Tagore Technology |
説明 | GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 3000 pcs |
仕様書 | TP44400SG.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.7V @ 11mA (Typ) |
Vgs(最大) | - |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | 22-QFN (5x7) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 360mOhm @ 500mA, 6V |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | 22-PowerVFQFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 28 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.75 nC @ 6 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 0V, 6V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A (Tc) |
基本製品番号 | TP44400 |