| 工場モデル : | STP10P6F6 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 1870 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET P-CH 60V 10A TO220 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STP10P6F6(1).pdfSTP10P6F6(2).pdfSTP10P6F6(3).pdfSTP10P6F6(4).pdfSTP10P6F6(5).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STP10P6F6 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 10A TO220 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1870 pcs |
| 仕様書 | STP10P6F6(1).pdfSTP10P6F6(2).pdfSTP10P6F6(3).pdfSTP10P6F6(4).pdfSTP10P6F6(5).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 340 pF @ 48 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP10 |
STP110N10F7MOSFET N CH 100V 110A TO-220STP110N55F6MOSFET N-CH 55V 110A TO220STP10NM60NDMOSFET N-CH 600V 8A TO220STP10NM65NMOSFET N-CH 650V 9A TO220ABSTP10NM50NMOSFET N-CH 500V 7A TO220STP10NM60NMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STP110N7F6MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
STP10NK80ZFPMOSFET N-CH 800V 9A TO220FPSTP110N8F6MOSFET N-CH 80V 110A TO220STP110N8F7MOSFET N-CH 80V 80A TO220