工場モデル : | STP10NM60N |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
在庫状況 : | 1733 pcs Stock |
説明 : | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | STP10NM60N(1).pdfSTP10NM60N(2).pdfSTP10NM60N(3).pdfSTP10NM60N(4).pdfSTP10NM60N(5).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | STP10NM60N |
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メーカー | STMicroelectronics |
説明 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 1733 pcs |
仕様書 | STP10NM60N(1).pdfSTP10NM60N(2).pdfSTP10NM60N(3).pdfSTP10NM60N(4).pdfSTP10NM60N(5).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | MDmesh™ II |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 550mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 70W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 540 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |
基本製品番号 | STP10 |