| 工場モデル : | STB200NF04-1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STB200NF04-1.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STB200NF04-1 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | STB200NF04-1.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
| シリーズ | STripFET™ II |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5100 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB200N |
STB200NF04LMOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
STB1E4-53SWITCH TOGGLESTB200N4F3MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
STB20100CDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAKSTB200N6F3MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKSTB20100DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
STB200NF04L-1MOSFET N-CH 40V 120A I2PAKSTB200NF04T4MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKSTB1E4-58SWITCH TOGGLESTB200NF03T4MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK