工場モデル : | STB200NF03T4 |
---|---|
RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | STB200NF03T4(1).pdfSTB200NF03T4(2).pdfSTB200NF03T4(3).pdfSTB200NF03T4(4).pdfSTB200NF03T4(5).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | STB200NF03T4 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
説明 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | STB200NF03T4(1).pdfSTB200NF03T4(2).pdfSTB200NF03T4(3).pdfSTB200NF03T4(4).pdfSTB200NF03T4(5).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
シリーズ | STripFET™ III |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.6mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4950 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
基本製品番号 | STB200 |