工場モデル : | SCTL35N65G2V |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | SCTL35N65G2V.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | SCTL35N65G2V |
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メーカー | STMicroelectronics |
説明 | TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | SCTL35N65G2V.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA |
Vgs(最大) | +22V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (8x8) HV |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 67mOhm @ 20A, 20V |
電力消費(最大) | 417W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc) |
基本製品番号 | SCTL35 |