| 工場モデル : | SCTH90N65G2V-7 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 67 pcs Stock |
| 説明 : | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SCTH90N65G2V-7(1).pdfSCTH90N65G2V-7(2).pdfSCTH90N65G2V-7(3).pdfSCTH90N65G2V-7(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCTH90N65G2V-7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 67 pcs |
| 仕様書 | SCTH90N65G2V-7(1).pdfSCTH90N65G2V-7(2).pdfSCTH90N65G2V-7(3).pdfSCTH90N65G2V-7(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 50A, 18V |
| 電力消費（最大） | 330W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTH90 |
SCTL35N65G2VTRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HVSCTH70N120G2V-7SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTHWA43SDSSENSOR THERMISTOR NTCSCTH50N120-7PTD WBG & POWER RFSCTHWA43SNSSENSOR THERMISTOR NTCSCTL90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SCTH686K20CAP TANT 68UF 10% 20V 2917SCTH60N120G2-7SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7SCTHWA43SDGSENSOR THERMISTOR NTCSCTH476K20CAP TANT 47UF 10% 20V 2917