| 工場モデル : | RQ1E050RPTR |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 1853 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | RQ1E050RPTR(1).pdfRQ1E050RPTR(2).pdfRQ1E050RPTR(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | RQ1E050RPTR |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1853 pcs |
| 仕様書 | RQ1E050RPTR(1).pdfRQ1E050RPTR(2).pdfRQ1E050RPTR(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 700mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) |
| 基本製品番号 | RQ1E050 |
RQ1A070ZPTRMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8RQ1C075UNTRMOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
SIHH155N60EF-T1GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTRQ1E100XNTRMOSFET N-CH 30V 10A TSMT8RQ1E070RPTRMOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
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