工場モデル : | RQ1C065UNTR |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 2975 pcs Stock |
説明 : | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | RQ1C065UNTR(1).pdfRQ1C065UNTR(2).pdfRQ1C065UNTR(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RQ1C065UNTR |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 2975 pcs |
仕様書 | RQ1C065UNTR(1).pdfRQ1C065UNTR(2).pdfRQ1C065UNTR(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22mOhm @ 6.5A, 4.5V |
電力消費(最大) | 700mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 870 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.5A (Ta) |
基本製品番号 | RQ1C065 |