| 工場モデル : | EPC2108 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | EPC |
| 在庫状況 : | 1360 pcs Stock |
| 説明 : | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | EPC2108(1).pdfEPC2108(2).pdfEPC2108(3).pdfEPC2108(4).pdfEPC2108(5).pdfEPC2108(6).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | EPC2108 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1360 pcs |
| 仕様書 | EPC2108(1).pdfEPC2108(2).pdfEPC2108(3).pdfEPC2108(4).pdfEPC2108(5).pdfEPC2108(6).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) |
| シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージ/ケース | 9-VFBGA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V, 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A, 500mA |
| コンフィギュレーション | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| 基本製品番号 | EPC210 |
EPC2106ENGRTGAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
EPC2111ENGRTTRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2107GANFET 3 N-CH 100V 9BGAEPC2110ENGRTGAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIEEPC2111GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2108ENGRTTRANS GAN 3N-CH BUMPED DIEEPC2107ENGRTTRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIEEPC2106GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2105ENGRTGANFET 2NCH 80V 9.5A DIEEPC2110GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE