工場モデル : | EPC2106ENGRT |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | EPC |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | EPC2106ENGRT(1).pdfEPC2106ENGRT(2).pdfEPC2106ENGRT(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | EPC2106ENGRT |
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メーカー | EPC |
説明 | GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | EPC2106ENGRT(1).pdfEPC2106ENGRT(2).pdfEPC2106ENGRT(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 600µA |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70mOhm @ 2A, 5V |
電力 - 最大 | - |
パッケージ/ケース | Die |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 75pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.73nC @ 5V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | EPC210 |