工場モデル : | IPB024N10N5ATMA1 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
在庫状況 : | 472 pcs Stock |
説明 : | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | IPB024N10N5ATMA1(1).pdfIPB024N10N5ATMA1(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | IPB024N10N5ATMA1 |
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メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
説明 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 472 pcs |
仕様書 | IPB024N10N5ATMA1(1).pdfIPB024N10N5ATMA1(2).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.8V @ 183µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.4mOhm @ 90A, 10V |
電力消費(最大) | 250W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10200 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 138 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Tc) |
基本製品番号 | IPB024 |