| 工場モデル : | IPB023N06N3GATMA1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Infineon Technologies |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | IPB023N06N3GATMA1(1).pdfIPB023N06N3GATMA1(2).pdfIPB023N06N3GATMA1(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | IPB023N06N3GATMA1 |
|---|---|
| メーカー | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | IPB023N06N3GATMA1(1).pdfIPB023N06N3GATMA1(2).pdfIPB023N06N3GATMA1(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 141µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
| シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大） | 214W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 16000 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 140A (Tc) |
| 基本製品番号 | IPB023N |
IPB024N08NF2SATMA1TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3IPB025N08N3 GN-CHANNEL POWER MOSFETIPB023N04NGN-CHANNEL POWER MOSFETIPB022N04LGN-CHANNEL POWER MOSFETIPB024N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB022N04LGATMA1MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKIPB023N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 90A D2PAKIPB025N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAKIPB023N04NF2SATMA1TRENCH <= 40VIPB024N08N5ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK