| 工場モデル : | SQA442EJ-T1_GE3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 在庫状況 : | 29889 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SQA442EJ-T1_GE3.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SQA442EJ-T1_GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 29889 pcs |
| 仕様書 | SQA442EJ-T1_GE3.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 13.6W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 636 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.7 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 基本製品番号 | SQA442 |
SQA470CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)SQA411CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)SQA410CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)SQA444CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)SQA470EEJ-T1_GE3MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70SQA440CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)SQA470EJ-T1_GE3MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70SQA410EJ-T1_GE3MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6SQA413CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE P-CHANNEL 20 V (D-S)SQA446CEJW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)