| 工場モデル : | SQ2309ES-T1_BE3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 在庫状況 : | 10520 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SQ2309ES-T1_BE3(1).pdfSQ2309ES-T1_BE3(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SQ2309ES-T1_BE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 10520 pcs |
| 仕様書 | SQ2309ES-T1_BE3(1).pdfSQ2309ES-T1_BE3(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 335mOhm @ 1.25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 265 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A (Tc) |
| 基本製品番号 | SQ2309 |
SQ2308CES-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
SQ2303P72RTNRF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MTSQ2310ES-T1_BE3MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3SQ2303PNFRF ANT 2.4GHZ PANEL N FEM CHASSSQ2308CES-T1_BE3MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3SQ2310ES-T1_GE3MOSFET N-CH 20V 6A TO236SQ2309ES-T1_GE3MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236SQ2315ES-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3SQ2315ES-T1_BE3MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3SQ2303P36RTNRF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT