| 工場モデル : | SIZF906ADT-T1-GE3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SIZF906ADT-T1-GE3.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SIZF906ADT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 説明 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | SIZF906ADT-T1-GE3.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V |
| 電力 - 最大 | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 49nC @ 10V, 200nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 基本製品番号 | SIZF906 |
SIZF906BDT-T1-GE3DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFETSIZF916DT-T1-GE3MOSFET N-CH DUAL 30VSIZF906DT-T1-GE3MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIRSIZF640DT-T1-GE3DUAL N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFETSIZF300DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3SIZF5302DT-T1-RE3DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFETSIZF5300DT-T1-GE3DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFETSIZF360DT-T1-GE3MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDCSIZF918DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6SIZF914DT-T1-GE3DUAL N-CH 25-V (D-S) MOSFET W/SC