| 工場モデル : | SIR438DP-T1-GE3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Vishay Siliconix |
| 在庫状況 : | 261 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SIR438DP-T1-GE3(1).pdfSIR438DP-T1-GE3(2).pdfSIR438DP-T1-GE3(3).pdfSIR438DP-T1-GE3(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SIR438DP-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 説明 | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 261 pcs |
| 仕様書 | SIR438DP-T1-GE3(1).pdfSIR438DP-T1-GE3(2).pdfSIR438DP-T1-GE3(3).pdfSIR438DP-T1-GE3(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8mOhm @ 20A, 10V |
| 電力消費（最大） | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIR438 |
SIR440DP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8SIR450DP-T1-RE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWESIR432DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8SIR4604LDP-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWESIR436DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8SIR4604DP-T1-GE3N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWESIR4602LDP-T1-RE3POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5SIR422DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8SIR426DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8SIR424DP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8