| 工場モデル : | TPH3208LD |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Transphorm |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | TPH3208LD(1).pdfTPH3208LD(2).pdfTPH3208LD(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | TPH3208LD |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | TPH3208LD(1).pdfTPH3208LD(2).pdfTPH3208LD(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 300µA |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-PQFN (8x8) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 13A, 8V |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 4-PowerDFN |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
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