工場モデル : | TPH3205WSB |
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RoHS ステータス : | RoHS準拠 |
メーカー/ブランド : | Transphorm |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | TPH3205WSB(1).pdfTPH3205WSB(2).pdfTPH3205WSB(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | TPH3205WSB |
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メーカー | Transphorm |
説明 | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
フリーステータス/ RoHS状態 | RoHS準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | TPH3205WSB(1).pdfTPH3205WSB(2).pdfTPH3205WSB(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.6V @ 700µA |
Vgs(最大) | ±18V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 22A, 8V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2200 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42 nC @ 8 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 36A (Tc) |