| 工場モデル : | TP65H050G4WS |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Transphorm |
| 在庫状況 : | 369 pcs Stock |
| 説明 : | 650 V 34 A GAN FET |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | TP65H050G4WS |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | 650 V 34 A GAN FET |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 369 pcs |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.8V @ 700µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | SuperGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60mOhm @ 22A, 10V |
| 電力消費（最大） | 119W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) |
| 基本製品番号 | TP65H050 |
TP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FETTP65H070G4PSGANFET N-CH 650V 29A TO220TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H070LDGGANFET N-CH 650V 25A 3PQFNTP65H070G4LSGB-TRGANFET N-CH 650V 29A QFN8X8TP65H050G4BS650 V 34 A GAN FETTP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H050WSQAGANFET N-CH 650V 36A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3