工場モデル : | TSM2N60SCW RPG |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Taiwan Semiconductor Corporation |
在庫状況 : | 108 pcs Stock |
説明 : | MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | TSM2N60SCW RPG(1).pdfTSM2N60SCW RPG(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | TSM2N60SCW RPG |
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メーカー | Taiwan Semiconductor |
説明 | MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 108 pcs |
仕様書 | TSM2N60SCW RPG(1).pdfTSM2N60SCW RPG(2).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5Ohm @ 600mA, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 435 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 600mA (Tc) |
基本製品番号 | TSM2 |