| 工場モデル : | GP1M009A050HS |
|---|---|
| RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| メーカー/ブランド : | Global Power Technologies Group |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | GP1M009A050HS.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | GP1M009A050HS |
|---|---|
| メーカー | SemiQ |
| 説明 | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | GP1M009A050HS.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 850 mOhm @ 4.25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 127W (Tc) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1195pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500V |
| 詳細な説明 | N-Channel 500V 8.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole TO-220 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.5A (Tc) |
GP1M009A070FMOSFET N-CH 700V 9A TO220FGP1M009A050FSHMOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
GP1M009A020HGMOSFET N-CH 200V 9A TO220GP1M009A020FGMOSFET N-CH 200V 9A TO220F
GP1M009A020CGMOSFET N-CH 200V 9A DPAKGP1M009A060HMOSFET N-CH 600V 9A TO220GP1M009A090HMOSFET N-CH 900V 9A TO220GP1M009A060FHMOSFET N-CH 600V 9A TO220F
GP1M009A020PGMOSFET N-CH 200V 9A IPAKGP1M009A090FHMOSFET N-CH 900V 9A TO220F