工場モデル : | G4S06508HT |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Global Power Technology-GPT |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | G4S06508HT.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | G4S06508HT |
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メーカー | SemiQ |
説明 | DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | G4S06508HT.pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.7 V @ 8 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
パッケージ | Cut Tape (CT) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 µA @ 650 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 18.5A |
Vrと、F @キャパシタンス | 395pF @ 0V, 1MHz |