| 工場モデル : | STL3N10F7 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 2960 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STL3N10F7(1).pdfSTL3N10F7(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STL3N10F7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 2960 pcs |
| 仕様書 | STL3N10F7(1).pdfSTL3N10F7(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (2x2) |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 2A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.4W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 6-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 408 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 基本製品番号 | STL3 |
STL36N60M6MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HVSTL36N60DM6MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HVSTL38DN6F7AGAUTOMOTIVE-GRADE DUAL N-CHANNEL
STL3NK40MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLATSTL3NM60NMOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLATSTL38N65M5MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HVSTL3N80K5MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLATSTL3P6F6MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLATSTL36N55M5MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLATSTL3N65M2MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT