| 工場モデル : | STB6N52K3 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STB6N52K3(1).pdfSTB6N52K3(2).pdfSTB6N52K3(3).pdfSTB6N52K3(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STB6N52K3 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | STB6N52K3(1).pdfSTB6N52K3(2).pdfSTB6N52K3(3).pdfSTB6N52K3(4).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | SuperMESH3™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 670 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 525 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB6N |
STB60NF10-1MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
STB6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
STB6N65K3MOSFET N-CH 650V DPAK
STB6N60M2MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAKSTB60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
STB65G4-T/RBI-DIRECTIONAL TVS 600W, CASE TYSTB6N80K5MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAKSTB6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A D2PAKSTB60NH02LT4MOSFET N-CH 24V 60A D2PAKSTB60NF10T4MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK