| 工場モデル : | STB42N60M2-EP |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 29 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | STB42N60M2-EP(1).pdfSTB42N60M2-EP(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | STB42N60M2-EP |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 29 pcs |
| 仕様書 | STB42N60M2-EP(1).pdfSTB42N60M2-EP(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | MDmesh™ M2-EP |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 87mOhm @ 17A, 10V |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2370 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB42 |
STB42N65M5MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
STB43N60DM2MOSFET N-CH 600V 34A D2PAKSTB43N65M5MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB40NF10T4MOSFET N-CH 100V 50A D2PAKSTB40NF10LT4MOSFET N-CH 100V 40A D2PAKSTB45N30M5NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53STB40NF20MOSFET N-CH 200V 40A D2PAKSTB41N40DM6AGAUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 VSTB45N40DM2AGMOSFET N-CH 400V 38A D2PAKSTB40NS15T4MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK