| 工場モデル : | SCTWA40N120G2V-4 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | DISCRETE |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCTWA40N120G2V-4 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | DISCRETE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +18V, -5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 20A, 18V |
| 電力消費（最大） | 277W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1233 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTWA40 |
SCTWA35N65G2VTRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA40N120G2VDISCRETESCTWA70N120G2V-4DISCRETESCTWA35N65G2V-4DISCRETESCTWA90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCTWA90N65G2V-4TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247SCTWA30N120IC POWER MOSFET 1200V HIP247SCTWA35N65G2VAGSICFET N-CH 650V 45A TO247SCTWA50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247