| 工場モデル : | SCTW40N120G2VAG |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 1873 pcs Stock |
| 説明 : | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SCTW40N120G2VAG(1).pdfSCTW40N120G2VAG(2).pdfSCTW40N120G2VAG(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCTW40N120G2VAG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | SICFET N-CH 1200V 33A HIP247 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 1873 pcs |
| 仕様書 | SCTW40N120G2VAG(1).pdfSCTW40N120G2VAG(2).pdfSCTW40N120G2VAG(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 20A, 18V |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1230 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTW40 |
SCTWA10N120IC POWER MOSFET 1200V HIP247SCTWA20N120IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SCTW35N65G2VSICFET N-CH 650V 45A HIP247SCTW60N120G2DISCRETESCTW40N120G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTL90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW90N65G2VSICFET N-CH 650V 90A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW35N65G2VAGSICFET N-CH 650V 45A HIP247