| 工場モデル : | SCTH35N65G2V-7 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
| 在庫状況 : | 958 pcs Stock |
| 説明 : | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SCTH35N65G2V-7(1).pdfSCTH35N65G2V-7(2).pdfSCTH35N65G2V-7(3).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SCTH35N65G2V-7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 958 pcs |
| 仕様書 | SCTH35N65G2V-7(1).pdfSCTH35N65G2V-7(2).pdfSCTH35N65G2V-7(3).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 20A, 20V |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V, 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTH35 |
SCTH2010-6R8FIXED IND 6.8UH 480MA 515MOHM SM
SCTH35N65G2V-7AGSICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7SCTH50N120-7PTD WBG & POWER RFSCTH2010-R56FIXED IND 560NH 1.52A 70MOHM SMD
SCTH336K25CAP TANT 33UF 10% 25V 2917SCTH226K35CAP TANT 22UF 10% 35V 2917
SCTH476K20CAP TANT 47UF 10% 20V 2917SCTH2010-4R7FIXED IND 4.7UH 590MA 350MOHM SMSCTH40N120G2V-7SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
SCTH40N120G2V7AGSICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7