工場モデル : | SCT10N120 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
在庫状況 : | 65 pcs Stock |
説明 : | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | SCT10N120(1).pdfSCT10N120(2).pdfSCT10N120(3).pdfSCT10N120(4).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | SCT10N120 |
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メーカー | STMicroelectronics |
説明 | SICFET N-CH 1200V 12A HIP247 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 65 pcs |
仕様書 | SCT10N120(1).pdfSCT10N120(2).pdfSCT10N120(3).pdfSCT10N120(4).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 690mOhm @ 6A, 20V |
電力消費(最大) | 150W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 20 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |
基本製品番号 | SCT10 |