工場モデル : | PD20010-E |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | STMicroelectronics |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | PD20010-E(1).pdfPD20010-E(2).pdfPD20010-E(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | PD20010-E |
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メーカー | STMicroelectronics |
説明 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | PD20010-E(1).pdfPD20010-E(2).pdfPD20010-E(3).pdf |
電圧 - テスト | 13.6 V |
電圧 - 定格 | 40 V |
技術 | LDMOS |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
シリーズ | - |
電力出力 | 10W |
パッケージ/ケース | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
パッケージ | Tube |
雑音指数 | - |
利得 | 11dB |
周波数 | 2GHz |
現在の評価(AMP) | 5A |
電流 - テスト | 150 mA |
基本製品番号 | PD20010 |