工場モデル : | RQJ0303PGDQA#H6 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Renesas Electronics America Inc |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | RQJ0303PGDQA#H6.pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RQJ0303PGDQA#H6 |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation |
説明 | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | RQJ0303PGDQA#H6.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | +10V, -20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-MPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 68mOhm @ 1.6A, 10V |
電力消費(最大) | 800mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 625 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.3A (Ta) |
基本製品番号 | RQJ0303 |