工場モデル : | RJS6005WDPK-00#T0 |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Renesas Electronics America Inc |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE GEN PURP 600V 30A |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | RJS6005WDPK-00#T0(1).pdfRJS6005WDPK-00#T0(2).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | RJS6005WDPK-00#T0 |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation |
説明 | DIODE GEN PURP 600V 30A |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | RJS6005WDPK-00#T0(1).pdfRJS6005WDPK-00#T0(2).pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.8 V @ 15 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 600 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 15 ns |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 155°C |
装着タイプ | Through Hole |
ダイオード構成 | 1 Pair Common Cathode |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 15A (DC) |