| 工場モデル : | SICW080N120Y4-BP |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Micro Commercial Co |
| 在庫状況 : | 348 pcs Stock |
| 説明 : | N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4 |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | SICW080N120Y4-BP.pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | SICW080N120Y4-BP |
|---|---|
| メーカー | Micro Commercial Components (MCC) |
| 説明 | N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 348 pcs |
| 仕様書 | SICW080N120Y4-BP.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 5mA |
| Vgs（最大） | +22V, -8V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 20A, 18V |
| 電力消費（最大） | 223W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890 pF @ 1000 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 41 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A |
| 基本製品番号 | SICW080 |
SICW40C120SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1
SICU0660P-TPInterfaceSICU02120B-TPDIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAKSICW20C120SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1SICU0260B-TPDIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
SICRS50650WTDIODE SIL CARB 650V 50A TO247ADSICU0860P-TPDIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAKSICU1060P-TPDIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAKSICU0460B-TPDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAKSICW1000N170A-BPN-CHANNEL MOSFET,TO-247AB