工場モデル : | MSCSM170HRM11NG |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Microchip Technology |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | PM-MOSFET-SIC-SP6C |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | MSCSM170HRM11NG |
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メーカー | Micrel / Microchip Technology |
説明 | PM-MOSFET-SIC-SP6C |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA |
技術 | Silicon Carbide (SiC) |
サプライヤデバイスパッケージ | - |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V |
電力 - 最大 | 1.012kW (Tc), 662W (Tc) |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 712nC @ 20V, 464nC @ 20V |
FET特長 | Silicon Carbide (SiC) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 226A (Tc), 163A (Tc) |
コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |