工場モデル : | MNS1N5811US |
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RoHS ステータス : | |
メーカー/ブランド : | Microchip Technology |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | MNS1N5811US(1).pdfMNS1N5811US(2).pdfMNS1N5811US(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | MNS1N5811US |
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メーカー | Micrel / Microchip Technology |
説明 | DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B |
フリーステータス/ RoHS状態 | |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | MNS1N5811US(1).pdfMNS1N5811US(2).pdfMNS1N5811US(3).pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 875 mV @ 4 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 150 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/477 |
逆回復時間(trrの) | 30 ns |
パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 150 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | 60pF @ 10V, 1MHz |