| 工場モデル : | 1N3595US-1 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | |
| メーカー/ブランド : | Microchip Technology |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | DIODE GP 125V 200MA SQ-MELF B |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | 1N3595US-1(1).pdf1N3595US-1(2).pdf1N3595US-1(3).pdf1N3595US-1(4).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | 1N3595US-1 |
|---|---|
| メーカー | Micrel / Microchip Technology |
| 説明 | DIODE GP 125V 200MA SQ-MELF B |
| フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | 1N3595US-1(1).pdf1N3595US-1(2).pdf1N3595US-1(3).pdf1N3595US-1(4).pdf |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 200 mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 125 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 3 µs |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 nA @ 125 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
1N3600DIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N3600/TRDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N3600DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N3600URDIODE GEN PURP 75V 300MA DO213AA
1N3595TRDIODE GEN PURP 150V 200MA DO351N3595UR-1/TRDIODE GP 125V 150MA DO213AA
1N3595TRHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N3595USDIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF1N3595US/TRDIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF1N3595UR-1DIODE GP 125V 150MA DO213AA