工場モデル : | CSD86336Q3D |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | わからない |
在庫状況 : | 在庫あり |
説明 : | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | CSD86336Q3D |
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メーカー | |
説明 | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 在庫あり |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V |
電力 - 最大 | 6W |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 125°C |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V |
FET特長 | Logic Level Gate, 5V Drive |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | CSD86336Q3 |