モデル | CSD75207W15 |
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メーカー | |
説明 | MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 7484 pcs |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 9-DSBGA |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
電力 - 最大 | 700mW |
パッケージ/ケース | 9-UFBGA, DSBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 595pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.9A |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
基本製品番号 | CSD75207 |