モデル | CSD23202W10T |
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メーカー | |
説明 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 15677 pcs |
仕様書 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA |
Vgs(最大) | -6V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) |
シリーズ | NexFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 4-UFBGA, DSBGA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 512 pF @ 6 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Ta) |
基本製品番号 | CSD23202 |