| 工場モデル : | CSD13202Q2 |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | わからない |
| 在庫状況 : | 13178 pcs Stock |
| 説明 : | MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | CSD13202Q2(1).pdfCSD13202Q2(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | CSD13202Q2 |
|---|---|
| メーカー | |
| 説明 | MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 13178 pcs |
| 仕様書 | CSD13202Q2(1).pdfCSD13202Q2(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) |
| シリーズ | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.3mOhm @ 5A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.7W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 997 pF @ 6 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) |
| 基本製品番号 | CSD13202 |
CSD13302WTMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
CSD13306WMOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD108IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULECSD13306WTMOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGACSD123IC GATE DRVR IGBT PLUG&PLAYCSD128IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULECSD13302WMOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGACSD13303W1015MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
CSD127BNPSA1MODULE GATE DRIVERCSD13201W10MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA