| 工場モデル : | ZDS020N60TB |
|---|---|
| RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
| メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
| 在庫状況 : | 在庫あり |
| 説明 : | MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP |
| 配達場所 : | 香港 |
| 仕様書 : | ZDS020N60TB(1).pdfZDS020N60TB(2).pdf |
| 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| モデル | ZDS020N60TB |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
| 在庫あり | 在庫あり |
| 仕様書 | ZDS020N60TB(1).pdfZDS020N60TB(2).pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 310 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 630mA (Tc) |
| 基本製品番号 | ZDS020 |
APT10050JVFRMOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP
ZDSS-3G4G-S+DIPLEXER / SMA / ROHS
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