工場モデル : | US6J11TR |
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RoHS ステータス : | ROHS3準拠 |
メーカー/ブランド : | Rohm Semiconductor |
在庫状況 : | 5985 pcs Stock |
説明 : | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | US6J11TR(1).pdfUS6J11TR(2).pdfUS6J11TR(3).pdf |
輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | US6J11TR |
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メーカー | LAPIS Technology |
説明 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 |
フリーステータス/ RoHS状態 | ROHS3準拠 |
在庫あり | 5985 pcs |
仕様書 | US6J11TR(1).pdfUS6J11TR(2).pdfUS6J11TR(3).pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
電力 - 最大 | 320mW |
パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 290pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.3A |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
基本製品番号 | US6J11 |